Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Кудояров, М. Ф.

Статьи. Автор - Кудояров, М. Ф.

• Процессы самоорганизации в полисилоксановых блок-сополимерах, инициируемые модифицирующими добавками фуллерена
  Возняковский, А. П., Кудоярова, В. Х., Кудояров, М. Ф., Патрова, М. Я.
  
  Процессы самоорганизации в полисилоксановых блок-сополимерах, инициируемые модифицирующими добавками фуллерена, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика твердого тела .- 2017 .- Т. 59, вып. 8. - С. 1632-1637 .- Возняковский_процессы
• Многообразие свойств приборных структур на основе нитридов элементов III группы, связанное с модификацией фрактально-перколяционной системы
  Петров, В. Н., Тальнишних, Н. А., Черняков, А. Е., Шабунина, Е. И., Шмидт, Н. М., Козловский, В. В., Кудояров, М. Ф., Сахаров, А. В., Полоскин, Д. С., Лундин, В. В.
  
  Многообразие свойств приборных структур на основе нитридов элементов III группы, связанное с модификацией фрактально-перколяционной системы, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 7. - С. 804-811 Емцев_многообразие
• Структурные и оптические характеристики ультрафиолетовых 4H-SiC-детекторов, облученных ионами аргона
  Калинина, Е. В., Кудояров, М. Ф., Никитина, И. П., Иванова, Е. В., Забродский, В. В.
  
  Структурные и оптические характеристики ультрафиолетовых 4H-SiC-детекторов, облученных ионами аргона, [Электронный ресурс] цв. ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 11. - С. 1244-1248 Калинина_структурные
• Влияние низкодозного протонного облучения на характеристики инжекционных диодов на основе 4H-SiC
  Иванов, П. А., Потапов, А. С., Кудояров, М. Ф., Самсонова, Т. П.
  
  Влияние низкодозного протонного облучения на характеристики инжекционных диодов на основе 4H-SiC, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 10. - С. 1187-1190 Иванов_влияние
• Полуизолирующие слои 4H-SiC, полученные имплантацией высокоэнергетичных (53МэВ) ионов аргона в эпитаксиальные пленки n-типа проводимости
  Иванов, П. А., Кудояров, М. Ф., Козловский, М. А., Потапов, А. С., Самсонова, Т. П.
  
  Полуизолирующие слои 4H-SiC, полученные имплантацией высокоэнергетичных (53МэВ) ионов аргона в эпитаксиальные пленки n-типа проводимости, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 7. - С. 937-940 Иванов_полуизолирующие