| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Полуизолирующие слои 4H-SiC, полученные имплантацией высокоэнергетичных (53МэВ) ионов аргона в эпитаксиальные пленки n-типа проводимости Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Показана возможность формирования в умеренно легированном карбиде кремния n-типа проводимости (концентрация доноров 2 · 10{16} см{-3}) приповерхностных полуизолирующих слоев толщиной 9 мкм с помощью относительно низкодозной (7 · 10{11} см{-2}) имплантации высокоэнергетичных (53 МэВ) ионов аргона. Скорость удаления свободных носителей оценивается величиной ~ 10{4} см{-1}. Удельное сопротивление полуизолятора составляет не менее 7 · 10{12} Ом · см. Анализ тока монополярной инжекции электронов в полуизолятор показал, что за компенсацию примесной проводимости ответственны радиационные дефекты, закрепляющие равновесный уровень Ферми на глубине 1.16 эВ ниже дна зоны проводимости. Энергетическая плотность дефектов на уровне Ферми составляет 2.7 · 10{16} см{2} · эВ{-1}. |
| Ключевые слова | полуизолирующие слои |
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 7. - С. 937-940 |
|
| Имя макрообъекта | Иванов_полуизолирующие |
