| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/671209180 |
| Дата корректировки | 15:13:00 8 апреля 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Иванов, П. А. | |
|
Полуизолирующие слои 4H-SiC, полученные имплантацией высокоэнергетичных (53МэВ) ионов аргона в эпитаксиальные пленки n-типа проводимости Электронный ресурс |
|
| Semi-insulating 4H-SiC layers obtained by implantation of high energy (53MeV) Ar ions into n-type epi-layers | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 9 назв. |
| Аннотация | Показана возможность формирования в умеренно легированном карбиде кремния n-типа проводимости (концентрация доноров 2 · 10{16} см{-3}) приповерхностных полуизолирующих слоев толщиной 9 мкм с помощью относительно низкодозной (7 · 10{11} см{-2}) имплантации высокоэнергетичных (53 МэВ) ионов аргона. Скорость удаления свободных носителей оценивается величиной ~ 10{4} см{-1}. Удельное сопротивление полуизолятора составляет не менее 7 · 10{12} Ом · см. Анализ тока монополярной инжекции электронов в полуизолятор показал, что за компенсацию примесной проводимости ответственны радиационные дефекты, закрепляющие равновесный уровень Ферми на глубине 1.16 эВ ниже дна зоны проводимости. Энергетическая плотность дефектов на уровне Ферми составляет 2.7 · 10{16} см{2} · эВ{-1}. |
| Ключевые слова | полуизолирующие слои |
|
карбид кремния ионы аргона эпитаксиальные пленки полуизоляторы полупроводниковые приборы полупроводниковые материалы ионное легирование вольт-амперные характеристики |
|
|
Кудояров, М. Ф. Козловский, М. А. Потапов, А. С. Самсонова, Т. П. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 7. - С. 937-940 |
|
| Имя макрообъекта | Иванов_полуизолирующие |
| Тип документа | b |
