Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Самсонова, Т. П.

Статьи. Автор - Самсонова, Т. П.

• Моделирование переходных процессов в полупроводниковых приборах на основе 4H-SiC (учет неполной ионизации легирующих примесей в модуле ATLAS программного пакета SILVACO TCAD)
  Иванов, П. А., Потапов, А. С., Самсонова, Т. П.
  
  Моделирование переходных процессов в полупроводниковых приборах на основе 4H-SiC (учет неполной ионизации легирующих примесей в модуле ATLAS программного пакета SILVACO TCAD), [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 3. - С. 407-410 Иванов_моделирование
• Влияние низкодозного протонного облучения на характеристики инжекционных диодов на основе 4H-SiC
  Иванов, П. А., Потапов, А. С., Кудояров, М. Ф., Самсонова, Т. П.
  
  Влияние низкодозного протонного облучения на характеристики инжекционных диодов на основе 4H-SiC, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 10. - С. 1187-1190 Иванов_влияние
• Вольт-амперные характеристики высоковольтных 4H-SiC p{+}-n[0]-n{+}-диодов в режиме лавинного пробоя
  Иванов, П. А., Потапов, А. С., Самсонова, Т. П., Грехов, И. В.
  
  Вольт-амперные характеристики высоковольтных 4H-SiC p{+}-n[0]-n{+}-диодов в режиме лавинного пробоя, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2017 .- Т. 51, вып. 3. - С. 390-394 .- Иванов_вольт
• Полевая зависимость дрейфовой скорости электронов в 4H-SiC вдоль оси c
  Иванов, П. А., Потапов, А. С., Самсонова, Т. П., Грехов, И. В.
  
  Полевая зависимость дрейфовой скорости электронов в 4H-SiC вдоль оси c, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 7. - С. 900-904 Иванов_полевая
• Полуизолирующие слои 4H-SiC, полученные имплантацией высокоэнергетичных (53МэВ) ионов аргона в эпитаксиальные пленки n-типа проводимости
  Иванов, П. А., Кудояров, М. Ф., Козловский, М. А., Потапов, А. С., Самсонова, Т. П.
  
  Полуизолирующие слои 4H-SiC, полученные имплантацией высокоэнергетичных (53МэВ) ионов аргона в эпитаксиальные пленки n-типа проводимости, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 7. - С. 937-940 Иванов_полуизолирующие
• Устойчивость высоковольтных (1430В) 4H-SiC p{+}-n[0]-n{+}-диодов к лавинному пробою
  Иванов, П. А., Самсонова, Т. П., Потапов, А. С.
  
  Устойчивость высоковольтных (1430В) 4H-SiC p{+}-n[0]-n{+}-диодов к лавинному пробою , [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 12. - С. 1527-1531 Иванов_устойчивость
• Микропрофилирование 4H-SiC сухим травлением в технологии формирования структуры полевого транзистора с затвором Шоттки
  Ильинская, Н. Д., Лебедева, Н. М., Задиранов, Ю. М., Иванов, П. А., Самсонова, Т. П., Коньков, О. И., Потапов, А. С.
  
  Микропрофилирование 4H-SiC сухим травлением в технологии формирования структуры полевого транзистора с затвором Шоттки, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2020 .- Т. 54, вып. 1. - С. 97-102 .- Ильинская_микропрофилирование