| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Полевая зависимость дрейфовой скорости электронов в 4H-SiC вдоль оси c Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Проведены измерения и анализ прямых вольт-амперных характеристик меза-эпитаксиальных 4H-SiC диодов Шоттки при высоких полях в базовой n-области (до 4 · 10{5} В/см). Получена полуэмпирическая формула для полевой зависимости дрейфовой скорости электронов в 4H-SiC вдоль оси c. Насыщенная скорость дрейфа составляет (1.55 ± 0.05) · 10{7} см/с при полях свыше 2 · 10{5} В/см. |
| Ключевые слова | полевая зависимость |
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 7. - С. 900-904 |
|
| Имя макрообъекта | Иванов_полевая |
