| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/671208275 |
| Дата корректировки | 15:10:25 8 апреля 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Иванов, П. А. | |
|
Полевая зависимость дрейфовой скорости электронов в 4H-SiC вдоль оси c Электронный ресурс |
|
| The dependence of electron drift velocity on electric field in 4H-SiC along the c-axis | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 14 назв. |
| Аннотация | Проведены измерения и анализ прямых вольт-амперных характеристик меза-эпитаксиальных 4H-SiC диодов Шоттки при высоких полях в базовой n-области (до 4 · 10{5} В/см). Получена полуэмпирическая формула для полевой зависимости дрейфовой скорости электронов в 4H-SiC вдоль оси c. Насыщенная скорость дрейфа составляет (1.55 ± 0.05) · 10{7} см/с при полях свыше 2 · 10{5} В/см. |
| Ключевые слова | полевая зависимость |
|
дрейфовая скорость электронов диоды Шоттки карбид кремния вольт-амперные характеристики полупроводниковые приборы полупроводники |
|
|
Потапов, А. С. Самсонова, Т. П. Грехов, И. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 7. - С. 900-904 |
|
| Имя макрообъекта | Иванов_полевая |
| Тип документа | b |
