-
Вольт-амперные характеристики высоковольтных 4H-SiC p{+}-n[0]-n{+}-диодов в режиме лавинного пробоя
Иванов, П. А., Потапов, А. С., Самсонова, Т. П., Грехов, И. В.
Вольт-амперные характеристики высоковольтных 4H-SiC p{+}-n[0]-n{+}-диодов в режиме лавинного пробоя, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2017 .-
Т. 51, вып. 3. - С. 390-394 .-
Иванов_вольт
-
Заряд квантовой ямы и распределение напряжения в структуре металл-диэлектрик-кремний при резонансном туннелировании электронов
Векслер, М. И., Илларионов, Ю. Ю., Грехов, И. В.
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2017 .-
Т. 51, вып. 4. - С. 467-471 .-
Векслер_заряд
-
Специфика туннелирования носителей между валентной зоной кремния и металлом в приборах на основе структуры Al/high-K-oxide/SiO[2]/Si
Векслер, М. И., Грехов, И. В.
Специфика туннелирования носителей между валентной зоной кремния и металлом в приборах на основе структуры Al/high-K-oxide/SiO[2]/Si, [Электронный ресурс]
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 5. - С. 683-688 .-
Векслер_специфика
-
Полевая зависимость дрейфовой скорости электронов в 4H-SiC вдоль оси c
Иванов, П. А., Потапов, А. С., Самсонова, Т. П., Грехов, И. В.
Полевая зависимость дрейфовой скорости электронов в 4H-SiC вдоль оси c, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 7. - С. 900-904
Иванов_полевая
