| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Специфика туннелирования носителей между валентной зоной кремния и металлом в приборах на основе структуры Al/high-K-oxide/SiO[2]/Si Электронный ресурс |
|
| Ключевые слова | туннелирование электронов |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 5. - С. 683-688 |
| Имя макрообъекта | Векслер_специфика |
