| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/670686160 |
| Дата корректировки | 13:53:25 2 апреля 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Векслер, М. И. | |
|
Специфика туннелирования носителей между валентной зоной кремния и металлом в приборах на основе структуры Al/high-K-oxide/SiO[2]/Si Электронный ресурс |
|
| The features of carrier tunneling between the silicon valence band and the metal in devices based on the Al/high-K-oxide/SiO[2]/Si structur | |
| Библиография | Библиогр.: 18 назв. |
| Аннотация | Теоретически проанализированы особенности туннелирования электронов из валентной зоны кремния или в нее в системе металл-диэлектрик-полупроводник с двойным изолятором HfO[2](ZrO[2])/SiO[2] в различных режимах. Показано, что при невысоких напряжениях относительная роль тока валентной зоны в структурах с HfO[2](ZrO[2])/SiO[2] менее значительна, чем в структурах только с диоксидом кремния. В случае очень широкозонного high-K оксида (ZrO[2]) для компоненты тока валентная зона-металл предсказываются немонотонности, связанные с туннелированием через верхний барьер. Применение двухслойного диэлектрика может дать определенные преимущества для ряда приборов - таких, как диод и биполярный транзистор с туннельным эмиттером (Tunnel Emitter Transistor, TET) или резонансно-туннельный диод - помимо традиционного использования high-K диэлектриков в полевом транзисторе (MOSFET). |
| Ключевые слова | туннелирование электронов |
|
металлы диэлектрики полупроводники диоксид кремния кремний полевые транзисторы биполярные транзисторы транзисторы инжекция электронов |
|
| Грехов, И. В. | |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 5. - С. 683-688 |
| Имя макрообъекта | Векслер_специфика |
| Тип документа | b |
