-
Физические основы самосогласованного моделирования процессов генерации интерфейсных состояний и транспорта горячих носителей в транзисторах на базе структур металл-диэлектрик-кремний
Тягинов, С.Э., Макаров, А. А., Jech, M., Векслер, М. И., Franco, J., Kaczer, B., Grasser, T.
Физические основы самосогласованного моделирования процессов генерации интерфейсных состояний и транспорта горячих носителей в транзисторах на базе структур металл-диэлектрик-кремний, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 2. - С. 254-259
Тягинов_физические
-
Анализ особенностей деградации, вызываемой горячими носителями, в транзисторах с каналом в форме плавника
Макаров, А. А., Тягинов, С. Э., Kaczer, B., Jech, M., Chasin, A., Grill, A., Hellings, G., Векслер, М. И., Linten, D., Grasser, T.
Анализ особенностей деградации, вызываемой горячими носителями, в транзисторах с каналом в форме плавника, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2018 .-
Т. 52, вып. 10. - С. 1177-1182 .-
Макаров_анализ
-
О влиянии параметров топологии транзистора с каналом в форме плавника на деградацию, вызываемую горячими носителями
Тягинов, С. Э., Макаров, А. А., Kaczer, B., Jech, M., Chasin, A., Grill, A., Hellings, G., Векслер, М. И., Linten, D., Grasser, T.
О влиянии параметров топологии транзистора с каналом в форме плавника на деградацию, вызываемую горячими носителями, [Электронный ресурс]
цв. ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 13. - С. 1631-1635
Тягинов_овлиянии
-
Заряд квантовой ямы и распределение напряжения в структуре металл-диэлектрик-кремний при резонансном туннелировании электронов
Векслер, М. И., Илларионов, Ю. Ю., Грехов, И. В.
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2017 .-
Т. 51, вып. 4. - С. 467-471 .-
Векслер_заряд
-
Специфика туннелирования носителей между валентной зоной кремния и металлом в приборах на основе структуры Al/high-K-oxide/SiO[2]/Si
Векслер, М. И., Грехов, И. В.
Специфика туннелирования носителей между валентной зоной кремния и металлом в приборах на основе структуры Al/high-K-oxide/SiO[2]/Si, [Электронный ресурс]
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 5. - С. 683-688 .-
Векслер_специфика
-
Моделирование туннельного переноса электронов в системе полупроводник-кристаллический диэлектрик-Si(111)
Векслер, М. И.
Моделирование туннельного переноса электронов в системе полупроводник-кристаллический диэлектрик-Si(111), [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 8. - С. 900-905
Векслер_моделирование
