Поиск

Моделирование туннельного переноса электронов в системе полупроводник-кристаллический диэлектрик-Si(111)

Авторы: Векслер, М. И.
Подробная информация
Индекс УДК 621.315.592
Моделирование туннельного переноса электронов в системе полупроводник-кристаллический диэлектрик-Si(111)
Электронный ресурс
Ключевые слова туннельный перенос электронов
Физика и техника полупроводников
2018
Т. 52, вып. 8. - С. 900-905
Имя макрообъекта Векслер_моделирование