| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/688669163 |
| Дата корректировки | 17:03:16 27 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.08.46216.8753 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Векслер, М. И. | |
|
Моделирование туннельного переноса электронов в системе полупроводник-кристаллический диэлектрик-Si(111) Электронный ресурс |
|
| Modeling tunnel electron transport in a semiconductor-crystalline insulator-Si(111) system | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 8 назв. |
| Аннотация | Теоретически исследован туннельный транспорт носителей через тонкий слой диэлектрика (для примера рассмотрен CaF[2]) между кремниевой подложкой ориентации (111) и полупроводниковым затвором. Наряду с сохранением большого по величине поперечного волнового вектора туннелирующих частиц учтено ограничение на наличие состояний в затворе. Из-за этого ограничения туннельные токи при малых напряжениях на диэлектрике оказываются меньше, чем в аналогичной структуре с металлическим затворным электродом. Эта же особенность обусловливает изменение вида энергетического распределения туннелирующих электронов, причем как при транспорте между зонами проводимости подложки и затвора, так и при переносе зона проводимости Si(111) - валентная зона затвора. |
| Ключевые слова | туннельный перенос электронов |
|
полупроводники кристаллические диэлектрики туннельный транспорт носителей кремниевые подложки полупроводниковые затворы |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 8. - С. 900-905 |
|
| Имя макрообъекта | Векслер_моделирование |
| Тип документа | b |
