Поиск

О влиянии параметров топологии транзистора с каналом в форме плавника на деградацию, вызываемую горячими носителями

Авторы: Тягинов, С. Э. Макаров, А. А. Kaczer, B. Jech, M. Chasin, A. Grill, A. Hellings, G. Векслер, М. И. Linten, D. Grasser, T.
Подробная информация
Индекс УДК 621.315.592
О влиянии параметров топологии транзистора с каналом в форме плавника на деградацию, вызываемую горячими носителями
Электронный ресурс
Ключевые слова транзисторы трехмерной архитектуры
Физика и техника полупроводников
2018
Т. 52, вып. 13. - С. 1631-1635
Имя макрообъекта Тягинов_овлиянии