| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/691236978 |
| Дата корректировки | 10:25:23 26 ноября 2021 г. |
| Стандартный номер | 10.21883/FTP.2018.13.46878.8858 |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Тягинов, С. Э. | |
|
О влиянии параметров топологии транзистора с каналом в форме плавника на деградацию, вызываемую горячими носителями Электронный ресурс |
|
| On the impact of device geometry parameters on hot-carrier degradation in FinFETs | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | цв. ил. |
| Библиография | Библиогр.: 33 назв. |
| Аннотация | Проведено теоретическое исследование влияния параметров геометрии транзистора с каналом в форме плавника (FinFET) на интенсивность деградации, вызываемой горячими носителями (ДВГН). Для этого использована модель, в рамках которой рассматриваются три подзадачи, составляющие физическую картину ДВГН: транспорт носителей заряда в полупроводниковых структурах, описание микроскопических механизмов формирования дефектов и моделирование характеристик деградировавших приборов. В процессе анализа варьируются длина затвора, а также ширина и высота канала. Показано, что при фиксированных условиях стрессового воздействия интенсивность ДВГН повышается в транзисторах с более коротким или более широким каналом, а высота канала не оказывает существенного влияния на протекание ДВГН. Данная информация может оказаться полезной для оптимизации архитектуры транзисторов обсуждаемой топологии с целью подавления деградационных эффектов. |
| Ключевые слова | транзисторы трехмерной архитектуры |
|
полевые транзисторы горячие носители архитектура транзисторов полупроводниковые структуры |
|
|
Макаров, А. А. Kaczer, B. Jech, M. Chasin, A. Grill, A. Hellings, G. Векслер, М. И. Linten, D. Grasser, T. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 13. - С. 1631-1635 |
|
| Имя макрообъекта | Тягинов_овлиянии |
| Тип документа | b |
