-
Физические основы самосогласованного моделирования процессов генерации интерфейсных состояний и транспорта горячих носителей в транзисторах на базе структур металл-диэлектрик-кремний
Тягинов, С.Э., Макаров, А. А., Jech, M., Векслер, М. И., Franco, J., Kaczer, B., Grasser, T.
Физические основы самосогласованного моделирования процессов генерации интерфейсных состояний и транспорта горячих носителей в транзисторах на базе структур металл-диэлектрик-кремний, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 2. - С. 254-259
Тягинов_физические
-
Анализ особенностей деградации, вызываемой горячими носителями, в транзисторах с каналом в форме плавника
Макаров, А. А., Тягинов, С. Э., Kaczer, B., Jech, M., Chasin, A., Grill, A., Hellings, G., Векслер, М. И., Linten, D., Grasser, T.
Анализ особенностей деградации, вызываемой горячими носителями, в транзисторах с каналом в форме плавника, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2018 .-
Т. 52, вып. 10. - С. 1177-1182 .-
Макаров_анализ
-
О влиянии параметров топологии транзистора с каналом в форме плавника на деградацию, вызываемую горячими носителями
Тягинов, С. Э., Макаров, А. А., Kaczer, B., Jech, M., Chasin, A., Grill, A., Hellings, G., Векслер, М. И., Linten, D., Grasser, T.
О влиянии параметров топологии транзистора с каналом в форме плавника на деградацию, вызываемую горячими носителями, [Электронный ресурс]
цв. ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 13. - С. 1631-1635
Тягинов_овлиянии
