Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Потапов, А. С.

Статьи. Автор - Потапов, А. С.

• Микро- и мезопористые металл-органические координационные полимеры для разделения углеводородов
  Коваленко, К. А., Потапов, А. С., Федин, В. П.
  
  Микро- и мезопористые металл-органические координационные полимеры для разделения углеводородов, К. А. Коваленко, А. С. Потапов, В. П. Федин 34 рис., 6 табл. // Успехи химии .- 2022 .- Т. 91, № 4. - С. [6-37] .-
• Микро- и мезопористые металл-органические координационные полимеры для разделения углеводородов
  Коваленко, К. А., Потапов, А. С., Федин, В. П.
  
  Микро- и мезопористые металл-органические координационные полимеры для разделения углеводородов, К. А. Коваленко, А. С. Потапов, В. П. Федин 34 рис., 6 табл. // Успехи химии .- 2022 .- Т. 91, № 4. - С. [6-37] .-
• Функциональные супрамолекулярные системы: дизайн и области применения
  Захарова, Л. Я., Караханов, Э. А., Койфман, О. И., Коновалов, А. И., Максимов, А. Л., Мамардашвили, Н. Ж., Стойков, И. И., Чвалун, С. Н., Цивадзе, А. Ю., Штыков, С. Н.
  
  Функциональные супрамолекулярные системы: дизайн и области применения, И. С. Антипин, М. В. Алфимов, В. В. Арсланов [и др.] 200 рис., 12 табл., 91 схема // Успехи химии .- 2021 .- Т. 90, № 8. - С. 895-1107 .-
• Моделирование переходных процессов в полупроводниковых приборах на основе 4H-SiC (учет неполной ионизации легирующих примесей в модуле ATLAS программного пакета SILVACO TCAD)
  Иванов, П. А., Потапов, А. С., Самсонова, Т. П.
  
  Моделирование переходных процессов в полупроводниковых приборах на основе 4H-SiC (учет неполной ионизации легирующих примесей в модуле ATLAS программного пакета SILVACO TCAD), [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 3. - С. 407-410 Иванов_моделирование
• Влияние низкодозного протонного облучения на характеристики инжекционных диодов на основе 4H-SiC
  Иванов, П. А., Потапов, А. С., Кудояров, М. Ф., Самсонова, Т. П.
  
  Влияние низкодозного протонного облучения на характеристики инжекционных диодов на основе 4H-SiC, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 10. - С. 1187-1190 Иванов_влияние
• Вольт-амперные характеристики высоковольтных 4H-SiC p{+}-n[0]-n{+}-диодов в режиме лавинного пробоя
  Иванов, П. А., Потапов, А. С., Самсонова, Т. П., Грехов, И. В.
  
  Вольт-амперные характеристики высоковольтных 4H-SiC p{+}-n[0]-n{+}-диодов в режиме лавинного пробоя, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2017 .- Т. 51, вып. 3. - С. 390-394 .- Иванов_вольт
• Полевая зависимость дрейфовой скорости электронов в 4H-SiC вдоль оси c
  Иванов, П. А., Потапов, А. С., Самсонова, Т. П., Грехов, И. В.
  
  Полевая зависимость дрейфовой скорости электронов в 4H-SiC вдоль оси c, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 7. - С. 900-904 Иванов_полевая
• Полуизолирующие слои 4H-SiC, полученные имплантацией высокоэнергетичных (53МэВ) ионов аргона в эпитаксиальные пленки n-типа проводимости
  Иванов, П. А., Кудояров, М. Ф., Козловский, М. А., Потапов, А. С., Самсонова, Т. П.
  
  Полуизолирующие слои 4H-SiC, полученные имплантацией высокоэнергетичных (53МэВ) ионов аргона в эпитаксиальные пленки n-типа проводимости, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 7. - С. 937-940 Иванов_полуизолирующие
• Устойчивость высоковольтных (1430В) 4H-SiC p{+}-n[0]-n{+}-диодов к лавинному пробою
  Иванов, П. А., Самсонова, Т. П., Потапов, А. С.
  
  Устойчивость высоковольтных (1430В) 4H-SiC p{+}-n[0]-n{+}-диодов к лавинному пробою , [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 12. - С. 1527-1531 Иванов_устойчивость
• Микропрофилирование 4H-SiC сухим травлением в технологии формирования структуры полевого транзистора с затвором Шоттки
  Ильинская, Н. Д., Лебедева, Н. М., Задиранов, Ю. М., Иванов, П. А., Самсонова, Т. П., Коньков, О. И., Потапов, А. С.
  
  Микропрофилирование 4H-SiC сухим травлением в технологии формирования структуры полевого транзистора с затвором Шоттки, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2020 .- Т. 54, вып. 1. - С. 97-102 .- Ильинская_микропрофилирование