| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Микропрофилирование 4H-SiC сухим травлением в технологии формирования структуры полевого транзистора с затвором Шоттки Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Описаны способы микропрофилирования эпитаксиальных структур 4H-SiC: формирование мезаструктур с наклонными стенками (угол наклона стенки от вертикали > 45°) с помощью реактивного ионно-плазменного травления; травление мезаструктур с плоским дном и наклонными стенками (угол наклона стенки от вертикали < 45°) методами ионно-лучевого и реактивного ионно-плазменного травления. Показано применение разработанных методов в технологии изготовления меза-эпитаксиальных полевых транзисторов с затвором Шоттки на основе 4H-SiC. |
| Ключевые слова | травление SiC |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2020 |
| Прочая информация | Т. 54, вып. 1. - С. 97-102 |
| Имя макрообъекта | Ильинская_микропрофилирование |
