| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675448836 |
| Дата корректировки | 16:47:52 27 мая 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2020.01.48783.9223 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Ильинская, Н. Д. | |
|
Микропрофилирование 4H-SiC сухим травлением в технологии формирования структуры полевого транзистора с затвором Шоттки Электронный ресурс |
|
| Micro-profiling of 4H-SiC by dry etching for formation of a Schottky barrier diode | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 11 назв. |
| Аннотация | Описаны способы микропрофилирования эпитаксиальных структур 4H-SiC: формирование мезаструктур с наклонными стенками (угол наклона стенки от вертикали > 45°) с помощью реактивного ионно-плазменного травления; травление мезаструктур с плоским дном и наклонными стенками (угол наклона стенки от вертикали < 45°) методами ионно-лучевого и реактивного ионно-плазменного травления. Показано применение разработанных методов в технологии изготовления меза-эпитаксиальных полевых транзисторов с затвором Шоттки на основе 4H-SiC. |
| Ключевые слова | травление SiC |
|
полевые СВЧ транзисторы мезаструктуры затвор Шоттки ионно-плазменное травление |
|
|
Лебедева, Н. М. Задиранов, Ю. М. Иванов, П. А. Самсонова, Т. П. Коньков, О. И. Потапов, А. С. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2020 |
| Прочая информация | Т. 54, вып. 1. - С. 97-102 |
| Имя макрообъекта | Ильинская_микропрофилирование |
| Тип документа | b |
