Микропрофилирование 4H-SiC сухим травлением в технологии формирования структуры полевого транзистора с затвором Шоттки
Ильинская, Н. Д., Лебедева, Н. М., Задиранов, Ю. М., Иванов, П. А., Самсонова, Т. П., Коньков, О. И., Потапов, А. С.
Микропрофилирование 4H-SiC сухим травлением в технологии формирования структуры полевого транзистора с затвором Шоттки, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2020 .-
Т. 54, вып. 1. - С. 97-102 .-
Ильинская_микропрофилирование
