Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Иванов, П. А.

Статьи. Автор - Иванов, П. А.

• Моделирование переходных процессов в полупроводниковых приборах на основе 4H-SiC (учет неполной ионизации легирующих примесей в модуле ATLAS программного пакета SILVACO TCAD)
  Иванов, П. А., Потапов, А. С., Самсонова, Т. П.
  
  Моделирование переходных процессов в полупроводниковых приборах на основе 4H-SiC (учет неполной ионизации легирующих примесей в модуле ATLAS программного пакета SILVACO TCAD), [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 3. - С. 407-410 Иванов_моделирование
• Магнетохимическая диагностика состояния железа в противоанемийных лекарственных препаратах и растениях
  Бабанин, В. Ф., Иванов, П. А., Михалева. Н. В.
  
  Магнетохимическая диагностика состояния железа в противоанемийных лекарственных препаратах и растениях, [Текст] Химия и химическая технология. Изв. вузов, 2011, Т. 54, № 9. - С. 43-48
• Влияние низкодозного протонного облучения на характеристики инжекционных диодов на основе 4H-SiC
  Иванов, П. А., Потапов, А. С., Кудояров, М. Ф., Самсонова, Т. П.
  
  Влияние низкодозного протонного облучения на характеристики инжекционных диодов на основе 4H-SiC, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 10. - С. 1187-1190 Иванов_влияние
• Распознавание двухмерных изображений с помощью инвариантных корреляционных фильтров для формирования когерентных волновых фронтов
  Иванов, П. А.
  
  Распознавание двухмерных изображений с помощью инвариантных корреляционных фильтров для формирования когерентных волновых фронтов, [Текст] табл. Веснік Гродзенскага дзяржаўнага ўніверсітэта імя Янкі Купалы. Сер. 2, Матэматыка. Фізіка. Інфарматыка, вылічальная тэхніка і кіраванне, 2016, Т. 6, № 3. - С. 70-75
• О пространственной локализации свободных электронов в n-канальных МОП-транзисторах на основе 4H-SiC
  Иванов, П. А.
  
  О пространственной локализации свободных электронов в n-канальных МОП-транзисторах на основе 4H-SiC, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 1. - С. 105-109 Иванов_о пространственной
• Вольт-амперные характеристики высоковольтных 4H-SiC p{+}-n[0]-n{+}-диодов в режиме лавинного пробоя
  Иванов, П. А., Потапов, А. С., Самсонова, Т. П., Грехов, И. В.
  
  Вольт-амперные характеристики высоковольтных 4H-SiC p{+}-n[0]-n{+}-диодов в режиме лавинного пробоя, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2017 .- Т. 51, вып. 3. - С. 390-394 .- Иванов_вольт
• Изотермические вольт-амперные характеристики высоковольных 4H-SiC JBS-диодов Шоттки
  Левинштейн, М. Е., Иванов, П. А., Zhang, Q. J., Palmour, J. W.
  
  Изотермические вольт-амперные характеристики высоковольных 4H-SiC JBS-диодов Шоттки, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 5. - С. 668-673 .- Левинштейн_высоковольтный
• Полевая зависимость дрейфовой скорости электронов в 4H-SiC вдоль оси c
  Иванов, П. А., Потапов, А. С., Самсонова, Т. П., Грехов, И. В.
  
  Полевая зависимость дрейфовой скорости электронов в 4H-SiC вдоль оси c, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 7. - С. 900-904 Иванов_полевая
• Полуизолирующие слои 4H-SiC, полученные имплантацией высокоэнергетичных (53МэВ) ионов аргона в эпитаксиальные пленки n-типа проводимости
  Иванов, П. А., Кудояров, М. Ф., Козловский, М. А., Потапов, А. С., Самсонова, Т. П.
  
  Полуизолирующие слои 4H-SiC, полученные имплантацией высокоэнергетичных (53МэВ) ионов аргона в эпитаксиальные пленки n-типа проводимости, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 7. - С. 937-940 Иванов_полуизолирующие
• Переходной процесс выключения 4H-SiC биполярного транзистора из режима глубокого насыщения
  Юферев, В. С., Левинштейн, М. Е., Иванов, П. А., Zhang, Jon Q., Palmour, John W.
  
  Переходной процесс выключения 4H-SiC биполярного транзистора из режима глубокого насыщения, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 9. - С. 1243-1248 Юферев_переходной
• Устойчивость высоковольтных (1430В) 4H-SiC p{+}-n[0]-n{+}-диодов к лавинному пробою
  Иванов, П. А., Самсонова, Т. П., Потапов, А. С.
  
  Устойчивость высоковольтных (1430В) 4H-SiC p{+}-n[0]-n{+}-диодов к лавинному пробою , [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 12. - С. 1527-1531 Иванов_устойчивость
• Микропрофилирование 4H-SiC сухим травлением в технологии формирования структуры полевого транзистора с затвором Шоттки
  Ильинская, Н. Д., Лебедева, Н. М., Задиранов, Ю. М., Иванов, П. А., Самсонова, Т. П., Коньков, О. И., Потапов, А. С.
  
  Микропрофилирование 4H-SiC сухим травлением в технологии формирования структуры полевого транзистора с затвором Шоттки, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2020 .- Т. 54, вып. 1. - С. 97-102 .- Ильинская_микропрофилирование
• О защите высоковольтных мезаструктурных 4H-SiC-приборов от поверхностного пробоя: прямая фаска
  Лебедева, Н. М., Ильинская, Н. Д., Иванов, П. А.
  
  О защите высоковольтных мезаструктурных 4H-SiC-приборов от поверхностного пробоя: прямая фаска, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 2. - С. 207-211 Лебедева_о защите