Изотермические вольт-амперные характеристики высоковольных 4H-SiC JBS-диодов Шоттки - Статьи - Базы данных - БГТУ

Изотермические вольт-амперные характеристики высоковольных 4H-SiC JBS-диодов Шоттки

Авторы: Левинштейн, М. Е. Иванов, П. А. Zhang, Q. J. Palmour, J. W.

Подробная информация

Индекс УДК	621.315.592
	Изотермические вольт-амперные характеристики высоковольных 4H-SiC JBS-диодов Шоттки Электронный ресурс
Аннотация	Прямые импульсные изотермические вольт-амперные характеристики 4H-SiC JBS с номинальным блокирующим напряжением 1700 В измерены в температурном диапазоне от -80°C до +90°C (193-363K) вплоть до значений плотностей тока j ~ 5600 А/см{2} при -80°C и 3000 А/см{2} при +90°C. При этих измерениях перегрев структуры по отношению к температуре окружающей среды дельтаT не превышал нескольких градусов. При больших значениях плотности тока наблюдается эффективная инжекция неосновных носителей (дырок) в базу структуры, сопровождающаяся появлением S-образного дифференциального сопротивления. Измерены также импульсные изотермические вольт-амперные характеристики при температуре 77K.
Ключевые слова	диоды Шоттки
Название источника	Физика и техника полупроводников
Место и дата издания	2016
Прочая информация	Т. 50, вып. 5. - С. 668-673
Имя макрообъекта	Левинштейн_высоковольтный