| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/670930997 |
| Дата корректировки | 10:20:13 5 апреля 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Левинштейн, М. Е. | |
|
Изотермические вольт-амперные характеристики высоковольных 4H-SiC JBS-диодов Шоттки Электронный ресурс |
|
| Isothermal current-voltage characteristics of high-voltage 4H-SiC junction barrier Schottky rectifiers | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 20 назв. |
| Аннотация | Прямые импульсные изотермические вольт-амперные характеристики 4H-SiC JBS с номинальным блокирующим напряжением 1700 В измерены в температурном диапазоне от -80°C до +90°C (193-363K) вплоть до значений плотностей тока j ~ 5600 А/см{2} при -80°C и 3000 А/см{2} при +90°C. При этих измерениях перегрев структуры по отношению к температуре окружающей среды дельтаT не превышал нескольких градусов. При больших значениях плотности тока наблюдается эффективная инжекция неосновных носителей (дырок) в базу структуры, сопровождающаяся появлением S-образного дифференциального сопротивления. Измерены также импульсные изотермические вольт-амперные характеристики при температуре 77K. |
| Ключевые слова | диоды Шоттки |
|
вольт-амперные характеристики изотермичность карбид кремния полупроводники |
|
|
Иванов, П. А. Zhang, Q. J. Palmour, J. W. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 5. - С. 668-673 |
| Имя макрообъекта | Левинштейн_высоковольтный |
| Тип документа | b |
