| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
О защите высоковольтных мезаструктурных 4H-SiC-приборов от поверхностного пробоя: прямая фаска Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Рассматриваются перспективы защиты высоковольтных 4H-SiC-приборов от краевого пробоя путем формирования мезаструктур с наклонными стенками, образующими прямую фаску. Проведено численное моделирование пространственного распределения электрического поля в высоковольтных (~ 1500 В) обратносмещенных мезаэпитаксиальных 4H-SiC p{+}-p-n[0]-n{+}-диодах. Показано, что снятие прямой фаски под углами менее 10° от плоскости p-n[0]-перехода позволяет в несколько раз уменьшить краевое поверхностное поле по сравнению с полем в объеме. Для 4H-SiC-диодов с p{+}-n[0]-n{+}-структурой, диодов Шоттки с n[o]-базой, биполярных n{+}-p-n[0]-транзисторов предлагается комбинированный способ защиты - имплантация бора в периферийную область приборов в сочетании с формированием прямой фаски. Кратко рассматривается возможность изготовления мезаструктур с наклонными стенками с помощью фотолитографии и сухого травления карбида кремния. |
| Ключевые слова | высоковольтные мезаструктурные приборы |
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 2. - С. 207-211 |
|
| Имя макрообъекта | Лебедева_о защите |
