| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675611511 |
| Дата корректировки | 14:01:58 29 мая 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2020.02.48904.9277 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Лебедева, Н. М. | |
|
О защите высоковольтных мезаструктурных 4H-SiC-приборов от поверхностного пробоя: прямая фаска Электронный ресурс |
|
| Edge termination technique for high-voltage mesa-structure 4H-SiC-devices: negative beveling | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 11 назв. |
| Аннотация | Рассматриваются перспективы защиты высоковольтных 4H-SiC-приборов от краевого пробоя путем формирования мезаструктур с наклонными стенками, образующими прямую фаску. Проведено численное моделирование пространственного распределения электрического поля в высоковольтных (~ 1500 В) обратносмещенных мезаэпитаксиальных 4H-SiC p{+}-p-n[0]-n{+}-диодах. Показано, что снятие прямой фаски под углами менее 10° от плоскости p-n[0]-перехода позволяет в несколько раз уменьшить краевое поверхностное поле по сравнению с полем в объеме. Для 4H-SiC-диодов с p{+}-n[0]-n{+}-структурой, диодов Шоттки с n[o]-базой, биполярных n{+}-p-n[0]-транзисторов предлагается комбинированный способ защиты - имплантация бора в периферийную область приборов в сочетании с формированием прямой фаски. Кратко рассматривается возможность изготовления мезаструктур с наклонными стенками с помощью фотолитографии и сухого травления карбида кремния. |
| Ключевые слова | высоковольтные мезаструктурные приборы |
|
карбид кремния диоды Шоттки прямая фаска численное моделирование сухое травление |
|
|
Ильинская, Н. Д. Иванов, П. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 2. - С. 207-211 |
|
| Имя макрообъекта | Лебедева_о защите |
| Тип документа | b |
