Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Влияние низкодозного протонного облучения на характеристики инжекционных диодов на основе 4H-SiC

Влияние низкодозного протонного облучения на характеристики инжекционных диодов на основе 4H-SiC

Авторы: Иванов, П. А. Потапов, А. С. Кудояров, М. Ф. Самсонова, Т. П.