| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/689872145 |
| Дата корректировки | 15:14:18 10 ноября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.10.46459.8863 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Иванов, П. А. | |
|
Влияние низкодозного протонного облучения на характеристики инжекционных диодов на основе 4H-SiC Электронный ресурс |
|
| The effect of low dose proton irradiation on electrical characteristics of 4H-SiC junction diodes | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 8 назв. |
| Аннотация | Исследовано влияние низкодозного протонного облучения (доза облучения 10{10}-1.8 · 10{11}см{-2}) на вольт-фарадные характеристики, прямые вольт-амперные характеристики и характеристики обратного восстановления высоковольтных диодов с p-n[o]-переходом на основе 4H-SiC. Облучение проводилось протонами с энергией 1.8МэВ через никелевую пленку толщиной 10 мкм (энергия протонов и толщина Ni пленки выбирались так, чтобы пробег протонов в карбиде кремния приблизительно равнялся глубине залегания p-n[o]-перехода). Показано, что протонное облучение в указанных дозах: 1) не вызывает сколько-нибудь заметного уменьшения концентрации основных носителей в диодах; 2) кардинально уменьшает время жизни неравновесных носителей при низком уровне инжекции (в десятки раз при максимальной дозе облучения); 3) уменьшает заряд обратного восстановления диодов при высоком уровне инжекции (до трех раз при максимальной дозе облучения). |
| Ключевые слова | низкодозное протонное облучение |
|
инжекционные диоды кремниевые инжекционные p-n-диоды кремний диоды Шоттки |
|
|
Потапов, А. С. Кудояров, М. Ф. Самсонова, Т. П. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 10. - С. 1187-1190 |
|
| Имя макрообъекта | Иванов_влияние |
| Тип документа | b |
