Моделирование переходных процессов в полупроводниковых приборах на основе 4H-SiC (учет неполной ионизации легирующих примесей в модуле ATLAS программного пакета SILVACO TCAD)

Авторы: Иванов, П. А. Потапов, А. С. Самсонова, Т. П.

Индекс УДК	621.315.592
	Моделирование переходных процессов в полупроводниковых приборах на основе 4H-SiC (учет неполной ионизации легирующих примесей в модуле ATLAS программного пакета SILVACO TCAD) Электронный ресурс
Аннотация	Проведено моделирование переходного процесса в RC-цепи с обратно смещенным 4H-SiC p-n-диодом в качестве емкостного элемента. Для моделирования использовался программный модуль ATLAS, входящий в состав системы приборно-технологического проектирования SILVACO TCAD. Предложен и опробован альтернативный имеющемуся в ATLAS способ задания параметров легирующих примесей, частично ионизированных в 4H-SiC при комнатной температуре. (Имеющаяся в модуле ATLAS физическая модель INCOMPLETE, описывающая неполную ионизацию легирующих примесей в полупроводниках, непригодна для моделирования динамических характеристик приборов). Результаты моделирования обсуждаются в свете полученных ранее результатов экспериментальных исследований.
Ключевые слова	полупроводниковые приборы
	Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53, вып. 3. - С. 407-410
Имя макрообъекта	Иванов_моделирование

Каталог библиотеки БГТУ

Авторы: Иванов, П. А. Потапов, А. С. Самсонова, Т. П.