| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/695754014 |
| Дата корректировки | 17:06:22 17 января 2022 г. |
| 10.21883/FTP.2019.03.47295.9014 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Иванов, П. А. | |
|
Моделирование переходных процессов в полупроводниковых приборах на основе 4H-SiC (учет неполной ионизации легирующих примесей в модуле ATLAS программного пакета SILVACO TCAD) Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 7 назв. |
| Аннотация | Проведено моделирование переходного процесса в RC-цепи с обратно смещенным 4H-SiC p-n-диодом в качестве емкостного элемента. Для моделирования использовался программный модуль ATLAS, входящий в состав системы приборно-технологического проектирования SILVACO TCAD. Предложен и опробован альтернативный имеющемуся в ATLAS способ задания параметров легирующих примесей, частично ионизированных в 4H-SiC при комнатной температуре. (Имеющаяся в модуле ATLAS физическая модель INCOMPLETE, описывающая неполную ионизацию легирующих примесей в полупроводниках, непригодна для моделирования динамических характеристик приборов). Результаты моделирования обсуждаются в свете полученных ранее результатов экспериментальных исследований. |
| Ключевые слова | полупроводниковые приборы |
|
переходные процессы ионизация легирующих примесей программные модули |
|
|
Потапов, А. С. Самсонова, Т. П. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53, вып. 3. - С. 407-410 |
|
| Имя макрообъекта | Иванов_моделирование |
| Тип документа | b |
