Поиск

Переходной процесс выключения 4H-SiC биполярного транзистора из режима глубокого насыщения

Авторы: Юферев, В. С. Левинштейн, М. Е. Иванов, П. А. Zhang, Jon Q. Palmour, John W.
Подробная информация
Индекс УДК 621.315.592
Переходной процесс выключения 4H-SiC биполярного транзистора из режима глубокого насыщения
Электронный ресурс
Ключевые слова биполярные транзисторы
Физика и техника полупроводников
2017
Т. 51, вып. 9. - С. 1243-1248
Имя макрообъекта Юферев_переходной