| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/686078171 |
| Дата корректировки | 17:21:34 27 сентября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.09.44889.8540 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Юферев, В. С. | |
|
Переходной процесс выключения 4H-SiC биполярного транзистора из режима глубокого насыщения Электронный ресурс |
|
| Transient of 4H-SiC bipolar transistor switch-off process from deep saturation mode | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 20 назв. |
| Аннотация | В рамках одномерного численного моделирования исследованы основные физические процессы, определяющие переходной процесс выключения биполярного SiC-транзистора из режима глубокого насыщения. Исследован процесс выключения в режиме обрыва базового тока и в режиме выключения отрицательным (выключающим) током базы. Показано, что при вполне реалистических значениях выключающего базового тока время выключения может быть уменьшено в ~ 40 раз по сравнению с временем выключения при нулевом базовом токе. Время задержки также может быть существенно, в несколько раз, сокращено. Отмечается, что в режиме глубокого насыщения, когда реализуется интенсивная модуляция проводимости коллекторного слоя, транзистор может работать в непрерывном режиме при весьма высокой плотности тока. |
| Ключевые слова | биполярные транзисторы |
|
режим глубокого насыщения интенсивная модуляция проводимости полевые транзисторы двумерное (2D) моделирование |
|
|
Левинштейн, М. Е. Иванов, П. А. Zhang, Jon Q. Palmour, John W. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 9. - С. 1243-1248 |
|
| Имя макрообъекта | Юферев_переходной |
| Тип документа | b |
