Индекс УДК | 621.315.592 |
Многообразие свойств приборных структур на основе нитридов элементов III группы, связанное с модификацией фрактально-перколяционной системы Электронный ресурс |
|
Аннотация | Фрактально-перколяционная система, включающая протяженные дефекты и случайные флуктуации состава твердого раствора, формируется в процессе роста приборных структур на основе нитридов элементов III группы. Установлено, что свойства этой системы определяются не только условиями роста. Показано, что многообразие электрических и оптических свойств светодиодов InGaN/GaN, излучающих на длинах волн 450-460 и 519-530 нм, а также электрофизических свойств HEMT-структур AlGaN/GaN вызвано модификацией свойств фрактально-перколяционной системы как в процессе роста, так и под действием инжекционного тока и радиационных воздействий. Обсуждается влияние этих особенностей на срок службы светоизлучающих приборов и надежность HEMT-структур AlGaN/GaN. |
Ключевые слова | фрактально-перколяционная система |
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 7. - С. 804-811 |
|
Имя макрообъекта | Емцев_многообразие |