| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/688232884 |
| Дата корректировки | 15:53:59 22 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.07.46056.8805 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Емцев, В. В. | |
|
Многообразие свойств приборных структур на основе нитридов элементов III группы, связанное с модификацией фрактально-перколяционной системы Электронный ресурс |
|
| The diversity of properties of device structures based on III-nitrides, related to modification of the fractal-percolation system | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 25 назв. |
| Аннотация | Фрактально-перколяционная система, включающая протяженные дефекты и случайные флуктуации состава твердого раствора, формируется в процессе роста приборных структур на основе нитридов элементов III группы. Установлено, что свойства этой системы определяются не только условиями роста. Показано, что многообразие электрических и оптических свойств светодиодов InGaN/GaN, излучающих на длинах волн 450-460 и 519-530 нм, а также электрофизических свойств HEMT-структур AlGaN/GaN вызвано модификацией свойств фрактально-перколяционной системы как в процессе роста, так и под действием инжекционного тока и радиационных воздействий. Обсуждается влияние этих особенностей на срок службы светоизлучающих приборов и надежность HEMT-структур AlGaN/GaN. |
| Ключевые слова | фрактально-перколяционная система |
|
нитриды элементов III группы светодиоды InGaN/GaN нитрид индия-галлия нитрид галлия приборные структуры |
|
|
Гущина, Е. В. Петров, В. Н. Тальнишних, Н. А. Черняков, А. Е. Шабунина, Е. И. Шмидт, Н. М. Усиков, А. С. Карташова, А. П. Зыбин, А. А. Козловский, В. В. Кудояров, М. Ф. Сахаров, А. В. Оганесян, Г. А. Полоскин, Д. С. Лундин, В. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 7. - С. 804-811 |
|
| Имя макрообъекта | Емцев_многообразие |
| Тип документа | b |
