-
Влияние облучения электронами с энергией 0.9МэВ на вольт-амперные характеристики и низкочастотные шумы 4H-SiC pin-диодов
Добров, В. А., Козловский, В. В., Мещеряков, А. В., Усыченко, В. Г., Чернова, А. С., Шабунина, Е. И., Шмидт, Н. М.
Влияние облучения электронами с энергией 0.9МэВ на вольт-амперные характеристики и низкочастотные шумы 4H-SiC pin-диодов, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 4. - С. 555-561
Добров_влияние
-
Вклад зонного флуктуационного потенциала и разупорядоченности гетерограниц в падение эффективности светодиодов на основе нитридов
Шабунина, Е. И., Черняков, А. Е., Иванов, А. Е, Карташова, А. П., Кучинский, В. И., Полоскин, Д. С., Тальнишних, Н. А., Шмидт, Н. М., Закгейм, А. Л.
Вклад зонного флуктуационного потенциала и разупорядоченности гетерограниц в падение эффективности светодиодов на основе нитридов, Е. И. Шабунина, А. Е. Черняков, А. Е. Иванов [и др.]
// Журнал прикладной спектроскопии .-
2023 .-
Т. 90, № 1. - С. 29-34 .-
-
Многообразие свойств приборных структур на основе нитридов элементов III группы, связанное с модификацией фрактально-перколяционной системы
Петров, В. Н., Тальнишних, Н. А., Черняков, А. Е., Шабунина, Е. И., Шмидт, Н. М., Козловский, В. В., Кудояров, М. Ф., Сахаров, А. В., Полоскин, Д. С., Лундин, В. В.
Многообразие свойств приборных структур на основе нитридов элементов III группы, связанное с модификацией фрактально-перколяционной системы, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 7. - С. 804-811
Емцев_многообразие
-
Участие дефектов, локализованных на гетерограницах, и протяженных дефектов в деградации светоизлучающих приборов на основе нитридов
Тальнишних, Н. А., Иванов, А. Е., Шабунина, Е. И., Шмидт, Н. М.
Участие дефектов, локализованных на гетерограницах, и протяженных дефектов в деградации светоизлучающих приборов на основе нитридов, Н. А. Тальнишних, А. Е. Иванов, Е. И. Шабунина, Н. М. Шмидт
1 файл (328 Кб) .-
Загл. с титул. экрана .-
// Оптика и спектроскопия .-
2023 .-
Т. 131, № 11. - С. 1499-1501 .-
-
Фрактальная природа светоизлучающих структур на основе III-N наноматериалов и связанные с ней явления
Петров, В. Н., Сидоров, В. Г., Тальнишних, Н. А., Черняков, А. Е., Шабунина, Е. И., Шмидт, Н. М., Усиков, А. С., Helava, H., Макаров, Ю. Н.
Фрактальная природа светоизлучающих структур на основе III-N наноматериалов и связанные с ней явления, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 9. - С. 1195-1201 .-
Петров_фрактальная
