| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Влияние облучения электронами с энергией 0.9МэВ на вольт-амперные характеристики и низкочастотные шумы 4H-SiC pin-диодов Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Экспериментально установлено, что при воздействии электронов с энергией 0.9 МэВ заметные изменения вольт-амперных характеристик и низкочастотных шумов 4H-SiC pin-диодов наблюдаются после доз >= 1.4 · 10{15} см{-2}. При смещениях менее 2 В токи прямой и обратной ветвей вольт-амперной характеристики с ростом дозы меняются немонотонно, что объясняется взаимодействием возбужденной электронной подсистемы с метастабильными дефектами. При этом наблюдается устойчивый рост коэффициента идеальности и последовательного сопротивления диодов на экспоненциальном участке вольт-амперной характеристики при смещении более 2 В. Надежная работа малошумящих 4H-SiC pin-диодных СВЧ-устройств в условиях электронного облучения возможна до накопления дозы <= 10{15} см{-2}. |
| Ключевые слова | карбид кремния |
|
Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53, вып. 4. - С. 555-561 |
|
| Имя макрообъекта | Добров_влияние |
