| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/695898886 |
| Дата корректировки | 9:27:52 19 января 2022 г. |
| 10.21883/FTP.2019.04.47457.9027 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Добров, В. А. | |
|
Влияние облучения электронами с энергией 0.9МэВ на вольт-амперные характеристики и низкочастотные шумы 4H-SiC pin-диодов Электронный ресурс |
|
| Impact of the electron irradiation with the energy of 0.9MeV on current-voltage characteristics and low frequency noise in 4H-SiC pin-diodes | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 18 назв. |
| Аннотация | Экспериментально установлено, что при воздействии электронов с энергией 0.9 МэВ заметные изменения вольт-амперных характеристик и низкочастотных шумов 4H-SiC pin-диодов наблюдаются после доз >= 1.4 · 10{15} см{-2}. При смещениях менее 2 В токи прямой и обратной ветвей вольт-амперной характеристики с ростом дозы меняются немонотонно, что объясняется взаимодействием возбужденной электронной подсистемы с метастабильными дефектами. При этом наблюдается устойчивый рост коэффициента идеальности и последовательного сопротивления диодов на экспоненциальном участке вольт-амперной характеристики при смещении более 2 В. Надежная работа малошумящих 4H-SiC pin-диодных СВЧ-устройств в условиях электронного облучения возможна до накопления дозы <= 10{15} см{-2}. |
| Ключевые слова | карбид кремния |
|
pin-диоды диоды Шоттки низкочастотные шумы вольт-амперные характеристики |
|
|
Козловский, В. В. Мещеряков, А. В. Усыченко, В. Г. Чернова, А. С. Шабунина, Е. И. Шмидт, Н. М. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53, вып. 4. - С. 555-561 |
|
| Имя макрообъекта | Добров_влияние |
| Тип документа | b |
