Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Козловский, В. В.

Статьи. Автор - Козловский, В. В.

• Участие белорусских ученых-экономистов в дискуссии по проблеме первого в СССР учебника политической экономии
  Козловский, В. В.
  
  Участие белорусских ученых-экономистов в дискуссии по проблеме первого в СССР учебника политической экономии, Виталий Владимирович Козловский, [[Текст]] 11 фот.
• Современная социальная политика России и Индии: оценка и сравнительный анализ
  Ткаченко, С. Л., Козловский, В. В.
  
  Современная социальная политика России и Индии: оценка и сравнительный анализ, Станислав Леонидович Ткаченко, Виталий Владимирович Козловский, [[Текст]] 3 фот.
• Влияние облучения электронами с энергией 0.9МэВ на вольт-амперные характеристики и низкочастотные шумы 4H-SiC pin-диодов
  Добров, В. А., Козловский, В. В., Мещеряков, А. В., Усыченко, В. Г., Чернова, А. С., Шабунина, Е. И., Шмидт, Н. М.
  
  Влияние облучения электронами с энергией 0.9МэВ на вольт-амперные характеристики и низкочастотные шумы 4H-SiC pin-диодов, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 4. - С. 555-561 Добров_влияние
• Многообразие свойств приборных структур на основе нитридов элементов III группы, связанное с модификацией фрактально-перколяционной системы
  Петров, В. Н., Тальнишних, Н. А., Черняков, А. Е., Шабунина, Е. И., Шмидт, Н. М., Козловский, В. В., Кудояров, М. Ф., Сахаров, А. В., Полоскин, Д. С., Лундин, В. В.
  
  Многообразие свойств приборных структур на основе нитридов элементов III группы, связанное с модификацией фрактально-перколяционной системы, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 7. - С. 804-811 Емцев_многообразие
• Реагентное удаление дурнопахнущих веществ на сооружениях очистки сточных вод
  Нартя, Е. Ф., Козловский, В. В., Хоменков, А. М., Зидиханова, А. А., Козлов, А. В., Вялова, А. И., Ларин, А. Б.
  
  Реагентное удаление дурнопахнущих веществ на сооружениях очистки сточных вод, Е. Ф. Нартя, В. В. Козловский, А. М. Хоменков [и др.] ил., табл. // Водоснабжение и санитарная техника .- 2022 .- № 10. - С. 48-55 .-
• Радиационное повреждение карбид-кремниевых диодов заряженными частицами высоких энергий
  Стрельчук, А. М., Козловский, В. В., Лебедев, А. А.
  
  Радиационное повреждение карбид-кремниевых диодов заряженными частицами высоких энергий, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 13. - С. 1651-1655 Стрельчук_характеристики
• Евразийский союз: валютные аспекты интеграции
  Козловский, В. В., Ткаченко, С. Л.
  
  Евразийский союз: валютные аспекты интеграции, [Текст] Вестник Полоцкого государственного университета. Сер. D, Экономические и юридические науки, 2016, № 5. - С. 23-29
• Влияние энергии бомбардирующих электронов на проводимость эпитаксиальных слоев n-4H-SiC (CVD)
  Козловский, В. В., Лебедев, А. А., Стрельчук, А. М., Давыдовская, К. С., Васильев, А. Э., Макаренко, Л. Ф.
  
  Влияние энергии бомбардирующих электронов на проводимость эпитаксиальных слоев n-4H-SiC (CVD), [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 3. - С. 311-316 Козловский_влияние
• Воздействие протонного облучения с энергией 8МэВ на гетероэпитаксиальные слои n-3C-SiC
  Лебедев, А. А., Бер, Б. Я., Оганесян, Г. А., Белов, С. В., Лебедев, С. П., Никитина, И. П., Середова, Н. В., Шахов, Л. В., Козловский, В. В.
  
  Воздействие протонного облучения с энергией 8МэВ на гетероэпитаксиальные слои n-3C-SiC, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 8. - С. 1088-1090 Лебедев_воздействие
• Существует ли теорема "О едином (коллективном) Центральном банке?"
  Козловский, В. В., Чаплыгин, В. Г.
  
  Существует ли теорема "О едином (коллективном) Центральном банке?", [Текст] Вестник Полоцкого государственного университета. Сер. D, Экономические и юридические науки, 2016, № 6. - С. 119-129
• Гальванические и емкостные эффекты при компенсации проводимости n-SiC радиационными дефектами
  Козловский, В. В., Лебедев, А. А., Давыдовская, К. С., Любимова, Ю. В.
  
  Гальванические и емкостные эффекты при компенсации проводимости n-SiC радиационными дефектами, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2018 .- Т. 52, вып. 12. - С. 1532-1534 .- Козловский_гальванические
• Образование радиационных дефектов в слабо легированных слоях n- и p-SiC при торможении протонов
  Козловский, В. В., Васильев, А. Э., Карасев, П. А., Лебедев, А. А.
  
  Образование радиационных дефектов в слабо легированных слоях n- и p-SiC при торможении протонов, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 3. - С. 327-332 Козловский_образование