| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Гальванические и емкостные эффекты при компенсации проводимости n-SiC радиационными дефектами Электронный ресурс |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2018 |
| Прочая информация | Т. 52, вып. 12. - С. 1532-1534 |
| Имя макрообъекта | Козловский_гальванические |
