| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/690903901 |
| Дата корректировки | 13:48:27 22 ноября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.12.46770.8914 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Козловский, В. В. | |
|
Гальванические и емкостные эффекты при компенсации проводимости n-SiC радиационными дефектами Электронный ресурс |
|
| Galvanic and capacitive effects in compensating the conductivity of n-SiCradiation defects | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 12 назв. |
| Аннотация | Проведено исследование JBS диодов на основе 4H-SiC, облученных электронами и протонами. Исследования проводились методами вольт-фарадных и вольт-амперных характеристик. Сделан вывод, что при обоих типах облучения происходит образование глубоких центров в верхней половине запрещенной зоны карбида кремния. Это приводит к резкому уменьшению концентрации ионизованных носителей заряда в зоне проводимости и экспоненциальному росту сопротивления базовых областей исследованных структур. |
|
карбид кремния радиационные дефекты вольт-фарадные характеристики вольт-амперные характеристики диоды-4H диоды Шоттки |
|
|
Лебедев, А. А. Давыдовская, К. С. Любимова, Ю. В. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2018 |
| Прочая информация | Т. 52, вып. 12. - С. 1532-1534 |
| Имя макрообъекта | Козловский_гальванические |
| Тип документа | b |
