Гальванические и емкостные эффекты при компенсации проводимости n-SiC радиационными дефектами
Козловский, В. В., Лебедев, А. А., Давыдовская, К. С., Любимова, Ю. В.
Гальванические и емкостные эффекты при компенсации проводимости n-SiC радиационными дефектами, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2018 .-
Т. 52, вып. 12. - С. 1532-1534 .-
Козловский_гальванические
