Сайт библиотеки БГТУ Сайт БГТУ Электронная библиотека БГТУ
  1. Базы данных
  2. Статьи
  3. Образование радиационных дефектов в слабо легированных слоях n- и p-SiC при торможении протонов
Поиск

Образование радиационных дефектов в слабо легированных слоях n- и p-SiC при торможении протонов

Авторы: Козловский, В. В. Васильев, А. Э. Карасев, П. А. Лебедев, А. А.
Подробная информация
Индекс УДК 621.315.592
Образование радиационных дефектов в слабо легированных слоях n- и p-SiC при торможении протонов
Электронный ресурс
Ключевые слова радиационные дефекты
Физика и техника полупроводников
2018
Т. 52, вып. 3. - С. 327-332
Имя макрообъекта Козловский_образование