| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/687886923 |
| Дата корректировки | 8:58:25 19 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.03.45616.8741 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Козловский, В. В. | |
|
Образование радиационных дефектов в слабо легированных слоях n- и p-SiC при торможении протонов Электронный ресурс |
|
| Formation of radiation defects in the moderately doped layers when braking protons | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 18 назв. |
| Аннотация | Путем математического моделирования каскада смещения в SiC рассмотрены особенности генерации пар Френкеля при рассеянии протонов с энергией 8 и 15МэВ. Рассчитаны гистограммы распределения энергий, полученных не только первично выбитыми атомами, но и атомами отдачи, генерируемыми в каскадах смещений. При анализе гистограмм рассмотрены две области энергий. В первой области "малых" энергий преобладает процесс спонтанной рекомбинации генетически родственных пар Френкеля. Атомы отдачи второй области обладают большей энергией, позволяющей покинуть зону спонтанной рекомбинации и диссоциировать на изолированные компоненты. Проведено экспериментальное исследование процесса компенсации слабо легированных образцов n- и p-4H-SiC, выращенных методом газофазовой эпитаксией, при облучении протонами с энергией 8 и15МэВ. Измерены скорости удаления носителей заряда. Проведено сравнение расчетных и экспериментальных данных и получены оценки размеров зоны спонтанной рекомбинации. |
| Ключевые слова | радиационные дефекты |
|
рассеяние протонов торможение протонов газофазовая эпитаксия карбид кремния слабо легированные слои |
|
|
Васильев, А. Э. Карасев, П. А. Лебедев, А. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 3. - С. 327-332 |
|
| Имя макрообъекта | Козловский_образование |
| Тип документа | b |
