-
Влияние повышения плотности каскадов столкновений на эффективность генерации первичных смещений при ионной бомбардировке Si
Карабешкин, К. В., Карасёв, П. А., Карасев, П. А., Титов, А. И.
Влияние повышения плотности каскадов столкновений на эффективность генерации первичных смещений при ионной бомбардировке Si, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 8. - С. 1009-1015 .-
Карабешкин_влияние
-
Образование радиационных дефектов в слабо легированных слоях n- и p-SiC при торможении протонов
Козловский, В. В., Васильев, А. Э., Карасев, П. А., Лебедев, А. А.
Образование радиационных дефектов в слабо легированных слоях n- и p-SiC при торможении протонов, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 3. - С. 327-332
Козловский_образование
-
Формирование наночастиц Au и особенности травления подложки Si после облучения атомарными и молекулярными ионами
Тужилкин, М. С., Карасёв, П. А., Беспалова, П. Г., Мишин, М. В., Колесников, И. Е., Карабешкин, К. В., Карасев, П. А., Титов, А. И.
Формирование наночастиц Au и особенности травления подложки Si после облучения атомарными и молекулярными ионами, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 1. - С. 90-96
Тужилкин_формирование
