Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Васильев, А. Э.

Статьи. Автор - Васильев, А. Э.

• Влияние энергии бомбардирующих электронов на проводимость эпитаксиальных слоев n-4H-SiC (CVD)
  Козловский, В. В., Лебедев, А. А., Стрельчук, А. М., Давыдовская, К. С., Васильев, А. Э., Макаренко, Л. Ф.
  
  Влияние энергии бомбардирующих электронов на проводимость эпитаксиальных слоев n-4H-SiC (CVD), [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 3. - С. 311-316 Козловский_влияние
• Образование радиационных дефектов в слабо легированных слоях n- и p-SiC при торможении протонов
  Козловский, В. В., Васильев, А. Э., Карасев, П. А., Лебедев, А. А.
  
  Образование радиационных дефектов в слабо легированных слоях n- и p-SiC при торможении протонов, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 3. - С. 327-332 Козловский_образование