Влияние облучения электронами с энергией 0.9МэВ на вольт-амперные характеристики и низкочастотные шумы 4H-SiC pin-диодов
Добров, В. А., Козловский, В. В., Мещеряков, А. В., Усыченко, В. Г., Чернова, А. С., Шабунина, Е. И., Шмидт, Н. М.
Влияние облучения электронами с энергией 0.9МэВ на вольт-амперные характеристики и низкочастотные шумы 4H-SiC pin-диодов, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 4. - С. 555-561
Добров_влияние
