-
Влияние температуры отжига на электрически активные центры в кремнии, имплантированном ионами германия
Соболев, Н. А., Александров, О. В., Сахаров, В. И., Серенков, И. Т., Шек, Е. И. , Калядин, А. Е., Паршин, Е. О., Мелесов, Н. С.
Влияние температуры отжига на электрически активные центры в кремнии, имплантированном ионами германия, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 2. - С. 161-164
Соболев_влияние
-
Дислокационная фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами германия
Соболев, Н. А., Калядин, А. Е., Сахаров, В. И., Серенков, И. Т., Шек, Е. И. , Паршин, Е. О., Мелесов, Н. С. , Симакин, С. Г.
Дислокационная фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами германия, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 2. - С. 165-168
Соболев_дислокационная
-
Si : Si светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре
Соболев, Н. А., Калядин, А. Е., Коновалов, М. В., Аруев, П. Н., Забродский, В. В., Шек, Е. И. , Штельмах, К. Ф., Михайлов, А. Н., Тетельбаум, Д. И.
Si : Si светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 2. - С. 241-244 .-
Соболев_Si Si
-
Электролюминесцентные свойства светодиодов на основе p-Si, облученного электронами
Соболев, Н. А., Штельмах, К. Ф., Калядин, А. Е., Аруев, П. Н., Забродский, В. В., Шек, Е. И. , Yang, D.
Электролюминесцентные свойства светодиодов на основе p-Si, облученного электронами, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 2. - С. 254-258 .-
Соболев_электролюминесцентные
-
Влияние условий изготовления светодиодов на основе SiGe на их люминесцентные и электрофизические свойства
Калядин, А. Е., Соболев, Н. А., Стрельчук, А. М., Аруев, П. Н., Забродский, В. В., Шек, Е. И.
Влияние условий изготовления светодиодов на основе SiGe на их люминесцентные и электрофизические свойства, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 2. - С. 250-253 .-
Калядин_влияние
-
Влияние дозы имплантации и длительности отжига на люминесцентные свойства (113) дефектов в Si, имплантированном ионами кислорода
Соболев, Н. А., Калядин, А. Е., Аруев, П. Н., Забродский, В. В., Шек, Е. И. , Штельмах, К. Ф., Карабешкин, К. В.
Влияние дозы имплантации и длительности отжига на люминесцентные свойства (113) дефектов в Si, имплантированном ионами кислорода, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2016 .-
Т. 58, вып. 12. - С. 2411-2414 .-
Соболев_влияние
-
Влияние температуры измерения на люминесцентные свойства (113) дефектов в кремнии, имплантированном ионами кислорода
Соболев, Н. А., Калядин, А. Е., Шек, Е. И. , Штельмах, К. Ф.
Влияние температуры измерения на люминесцентные свойства (113) дефектов в кремнии, имплантированном ионами кислорода, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 9. - С. 1182-1184
Соболев_влияние
-
Кремниевые светодиоды с люминесценцией (113) дефектов
Калядин, А. Е., Штельмах, К. Ф., Аруев, П. Н., Забродский, В. В., Карабешкин, К. В., Шек, Е. И. , Соболев, Н. А.
Кремниевые светодиоды с люминесценцией (113) дефектов, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 6. - С. 580-584
Калядин_кремниевые