| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Дислокационная фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами германия Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Исследовано влияние условий постимплантационного отжига кремния, имплантированного ионами германия, на образование люминесцентных центров. Измерения с помощью метода обратного резерфордовского рассеяния ионов средней и высокой энергий показали, что имплантация ионами германия с энергией 1МэВ и дозой 1.5 · 10{14} см{-2} не приводит к аморфизации монокристаллического кремния. Обнаружено, что последующий высокотемпературный отжиг имплантированных образцов в хлорсодержащей атмосфере при 1100~С в течение 0.5-1.5 ч приводит к образованию так называемых D1 и D2 линий дислокационной люминесценции с длинами волн 1.54 и 1.42 мкм. При увеличении времени отжига интенсивность линии D1 уменьшается, а D2 - остается постоянной, но во всех спектрах доминирует D1 линия. Обсуждаются возможные факторы, приводящие к снижению интенсивности D1 линии, в частности диффузия атомов германия и образование твердого раствора кремний-германий. |
| Ключевые слова | кремний |
|
Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53, вып. 2. - С. 165-168 |
|
| Имя макрообъекта | Соболев_дислокационная |
