| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/695729939 |
| Дата корректировки | 10:31:18 17 января 2022 г. |
| 10.21883/FTP.2019.02.47093.8965 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Соболев, Н. А. | |
|
Дислокационная фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами германия Электронный ресурс |
|
| Dislocation-Related Photoluminescence in Silicon Implanted with Germanium Ions | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 15 назв. |
| Аннотация | Исследовано влияние условий постимплантационного отжига кремния, имплантированного ионами германия, на образование люминесцентных центров. Измерения с помощью метода обратного резерфордовского рассеяния ионов средней и высокой энергий показали, что имплантация ионами германия с энергией 1МэВ и дозой 1.5 · 10{14} см{-2} не приводит к аморфизации монокристаллического кремния. Обнаружено, что последующий высокотемпературный отжиг имплантированных образцов в хлорсодержащей атмосфере при 1100~С в течение 0.5-1.5 ч приводит к образованию так называемых D1 и D2 линий дислокационной люминесценции с длинами волн 1.54 и 1.42 мкм. При увеличении времени отжига интенсивность линии D1 уменьшается, а D2 - остается постоянной, но во всех спектрах доминирует D1 линия. Обсуждаются возможные факторы, приводящие к снижению интенсивности D1 линии, в частности диффузия атомов германия и образование твердого раствора кремний-германий. |
| Ключевые слова | кремний |
|
германий дислокационная фотолюминесценция ионы германия ионная имплантация светодиоды монокристаллический кремний |
|
|
Калядин, А. Е. Сахаров, В. И. Серенков, И. Т. Шек, Е. И. Паршин, Е. О. Мелесов, Н. С. Симакин, С. Г. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53, вып. 2. - С. 165-168 |
|
| Имя макрообъекта | Соболев_дислокационная |
| Тип документа | b |
