| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Особенности поведения МДП мемристоров с нанослоем Si[3]N[4], изготовленных на основе проводящей подложки Si Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Изучено влияние материала металлических обкладок (Au, Ta, W) и освещения мощным синим лазером на характеристики мемристивных МДП конденсаторов с пленкой Si[3]N[4] толщиной 6 нм, полученных на основе n{+}-Si. Показано, что биполярное переключение током проявляется только в конденсаторах с Au. Объяснены причины отсутствия биполярного переключения в конденсаторах с Ta и W. Обнаружено переключение конденсаторов с Та током и освещением и обнаружен эффект фотопамяти. Показано, что, несмотря на высокую степень легирования подложки полупроводника, она уменьшает быстродействие МДП мемристоров из-за высокой плотности поверхностных состояний, локализованных на границе Si[3]N[4]/n{+}-Si. Однако освещение позволяет значительно увеличивать быстродействие за счет уменьшения сопротивления полупроводника. Определены значения плотности поверхностных состояний. Для улучшения частотных характеристик МДП мемристоров необходимо получать низкую плотность поверхностных состояний. |
| Ключевые слова | мемристоры |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2018 |
| Прочая информация | Т. 52, вып. 12. - С. 1436-1442 |
| Имя макрообъекта | Тихов_особенности |
