-
Особенности поведения МДП мемристоров с нанослоем Si[3]N[4], изготовленных на основе проводящей подложки Si
Тихов, С. В., Горшков, О. Н., Антонов, И. Н., Тетельбаум, Д. И. , Михайлов, А. Н., Белов, А. И., Морозов, А. И., Karakolis, P., Dimitrakis, P.
Особенности поведения МДП мемристоров с нанослоем Si[3]N[4], изготовленных на основе проводящей подложки Si, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2018 .-
Т. 52, вып. 12. - С. 1436-1442 .-
Тихов_особенности
-
Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN
Михайлов, А. Н., Белов, А. И., Васильев, В. К., Гусейнов, Д. В., Окулич, Е. В., Шемухин, А. А., Суродин, С. И., Нежданов, А. В., Пирогов, А. В., Тетельбаум, Д. И.
Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN, [Электронный ресурс]
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 2. - С. 274-278 .-
Королев_послойный
-
Резистивное переключение мемристоров на основе стабилизированного диоксида циркония сложными сигналами
Филатов, Д. О., Антонов, Д. А., Антонов, И. Н., Белов, А. И., Баранова, В. Н., Шенина, М. Е., Горшков, О. Н.
Резистивное переключение мемристоров на основе стабилизированного диоксида циркония сложными сигналами, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика твердого тела .-
2020 .-
Т. 62, вып. 4. - С. 556-561 .-
Филатов_резистивное
-
Влияние примеси бора на излучательные свойства дислокационных структур в кремнии, сформированных путем имплантации ионов Si{+}
Терещенко, А. Н. , Королёв, Д. С., Королев, Д. С., Михайлов, А. Н., Белов, А. И., Никольская, А. А., Павлов, Д. А., Тетельбаум, Д. И. , Штейнман, Э. А.
Влияние примеси бора на излучательные свойства дислокационных структур в кремнии, сформированных путем имплантации ионов Si{+}, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 7. - С. 702-707
Терещенко_влияние
