| Индекс УДК | 539.21 |
|
Резистивное переключение мемристоров на основе стабилизированного диоксида циркония сложными сигналами Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Изучены особенности резистивного переключения в экспериментальных образцах мемристоров на основе тонких пленок стабилизированного иттрием диоксида циркония треугольными импульсами, на которые накладывался высокочастотный синусоидальный сигнал. Обнаружено уменьшение значений напряжения переключения мемристора из низкоомного состояния в высокоомное и обратно, а также увеличение отношения значений силы тока через мемристор в указанных состояниях и долговременной стабильности тока при наложении синусоидального сигнала на переключающие импульсы по сравнению с переключениями треугольными импульсами без синусоидального сигнала. Улучшение характеристик резистивного переключения связано с резонансной активацией миграции ионов кислорода по вакансиям в переменном внешнем электрическом поле. |
| Ключевые слова | мемристоры |
| Другие авторы | Антонов, Д. А. |
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2020 |
| Прочая информация | Т. 62, вып. 4. - С. 556-561 |
| Имя макрообъекта | Филатов_резистивное |
